| 摘要 |
본 발명은 기판 유지구에 선반 형상으로 유지된 기판에 대하여 처리 가스를 플라즈마화해서 처리를 행함에 있어서, 기판의 면내 및 배열 방향에서의 처리의 균일성을 개선하는 것이다. 플라즈마 발생용의 전극(33, 34)에서 보았을 때 반응관(1)에 가까운 위치에 플라즈마 조정용의 제1 내지 제3 도전체(71 내지 73)를, 반응관(1)의 길이 방향으로 세로로 배열되도록 배치함과 함께, 이들 도전체(71 내지 73)와 접지와의 사이에 각각 임피던스 조정 회로(81 내지 83)을 설치한다. 제1 내지 제3 도전체(71 내지 73)와 접지와의 사이의 임피던스를 개별로 조정함으로써, 웨이퍼의 배열 방향의 플라즈마 강도를 조정할 수 있다. 이에 의해 상기 배열 방향의 플라즈마 강도를 일정하게 할 수 있어, 웨이퍼의 면내 및 배열 방향에 있어서의 처리의 균일성을 개선할 수 있다. |
