发明名称 EUV Pellicle for EUV Lithography
摘要 EUV 리소그래피용 펠리클을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 소광계수가 0.02 이하인 무기물을 포함하는 제1 무기물층, 상기 제1 무기물층 상에 위치하고, 카테콜계열의 작용기를 갖는 유기물을 포함하는 제1 결합층 및 상기 제1 결합층 상에 위치하고, 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층을 포함할 수 있다. 이때의 제1 결합층은 상기 제1 무기물층과 상기 강도보강층의 결합력을 강화시키는 것을 특징으로 한다. 따라서, 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층을 구비함으로써 펠리클막의 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 무기물층과 강도보강층의 사이에 유기물을 포함하는 결합층을 삽입함으로써, 무기물층과 강도보강층 사이의 결합력을 강화시킬 수 있고, 나아가 유기물층의 연성을 이용하여 무기물층의 취성을 보강해 줄 수 있다.
申请公布号 KR101676095(B1) 申请公布日期 2016.11.16
申请号 KR20140046210 申请日期 2014.04.17
申请人 한양대학교 산학협력단 发明人 안진호;이재욱;홍성철;이승민;김정환
分类号 G03F1/64 主分类号 G03F1/64
代理机构 代理人
主权项
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