一种四元AlGaInP发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种四元AlGaInP发光二极管芯片及其制造方法，其特征在于整个芯片制程完全或绝大部分无金化，此方法适用于多种波长的四元发光二极管，属于光电子制造技术领域。采用此制程方法的四元发光二极管芯片p面采用高透过率导电膜ITO代替Au/AuBe/Au与表层带有C元素重掺杂层的GaP窗口层形成良好的欧姆接触，同时严格控制ITO膜的厚度，使之实现良好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来形成增透作用，极大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高10‑20%。p面焊线电极采用以金属Al为主的纯Al或表面包金电极，同时芯片N面采用含金属Ge的非金材料代替Au/AuGe/Au。此四元二极管制作方法至少减少芯片制程黄金消耗90%，可有效地大幅降低成本。

主权项

一种四元AlGaInP发光二极管芯片，其结构由下至上依次为：n型欧姆接触电极、GaAs基板、缓冲层、分布布拉格反射镜DBR、n型限制层、有源层、p型限制层、GaP窗口层、表面C元素重掺杂GaP层、p型欧姆接触层、p面焊线电极，其特征在于GaP窗口层最表面采用C元素进行p型重掺杂，掺杂浓度大于1x10¹⁹ cm^‑3，厚度800‑1000nm。