发明名称 |
一种正偏BE结晶体管变容电路 |
摘要 |
本发明公开了一种正偏BE结晶体管变容电路,偏置电压正极接通直器,偏置电压正极负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在第一电容与限直器之间;限直器另一端接应用端口。本发明电路结构简单,成本低,具有大变容比、宽调谐的特性,有效解决了单个晶体管变容结构在微波低频段MMIC中难以实现宽调谐的难题。本发明的变容结构能用于多种晶体管,其偏置电压、变容范围、电容值及变容比可以在很大的范围内调整,有利于MMIC工艺的实现,具有很大的实际应用价值。 |
申请公布号 |
CN106129127A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610444327.7 |
申请日期 |
2016.06.21 |
申请人 |
西南交通大学 |
发明人 |
熊祥正;薛力源;廖成;高明均;罗杰;郭晓东 |
分类号 |
H01L29/93(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/93(2006.01)I |
代理机构 |
成都信博专利代理有限责任公司 51200 |
代理人 |
张澎 |
主权项 |
一种正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,包括偏置电压端口、通直器、限流电阻、第一电容、晶体管、第二电容、限直器及应用端口;偏置电压正极接通直器,偏置电压正极负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在第一电容与限直器之间;限直器另一端接应用端口。 |
地址 |
610031 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处 |