发明名称 紫外光用固体受光器件
摘要 提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(2)的输出的各个信号的差动电路,在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中,分别设置半导体杂质的最大浓度位置。
申请公布号 CN106133924A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201480077744.1 申请日期 2014.03.31
申请人 国立大学法人东北大学 发明人 须川成利;黑田理人
分类号 H01L31/10(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I 主分类号 H01L31/10(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种紫外光用固体受光器件,具有以硅(Si)为主要成分的半导体基体,在该半导体基体内,设置有以实际上立体不重叠的方式配置的第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)并具备被输入基于所述光电二极管(1)的输出(1)的信号(1)和基于所述光电二极管(2)的输出(2)的信号(2)的差动电路,该紫外光用固体受光器件的特征在于,在所述第一光电二极管(1)中,由第一导电型(1)的半导体层区域(1‑1)与设置在该半导体层区域(1‑1)上的同所述导电型(1)相反的第二导电型(2)的半导体层区域(1‑2)形成半导体结,在所述半导体层区域(1‑1)中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的最大浓度位置(1‑1),在所述半导体层区域(1‑2)上设置有所述导电型(1)的半导体层区域(1‑3),在该半导体层区域(1‑3)中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的最大浓度位置(1‑2),在所述第二光电二极管(2)中,由第一导电型(1)的半导体层区域(2‑1)与设置在该半导体层区域(2‑1)上的同所述导电型(1)相反的第二导电型(2)的半导体层区域(2‑2)形成半导体结,在所述半导体层区域(2‑1)中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的最大浓度位置(2‑1),在所述半导体层区域(2‑2)上设置有所述导电型(1)的半导体层区域(2‑3),在该半导体层区域(2‑3)中,半导体杂质的浓度沿层厚方向分布且具备该分布中的最大浓度位置(2‑2),所述最大浓度位置(1‑1)和所述最大浓度位置(2‑1)在从所述半导体基体的表面起的深度方向上相同或实质相同,所述最大浓度位置(1‑2)和所述最大浓度位置(2‑2)在从所述半导体基体的表面起的深度方向上不同。
地址 日本宫城县