发光二极管与其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、主动层、第二型半导体层以及至少一个电流控制结构。第一型半导体层具有第一区及第二区。第一区具有第一穿透位错密度。第二区具有第二穿透位错密度。第一穿透位错密度大于第二穿透位错密度。主动层连接于第一型半导体层。第二型半导体层连接于主动层。电流控制结构连接于第一型半导体层及第二型半导体层的其中至少一个。电流控制结构具有至少一个电流注入区域。第二区在电流控制结构的垂直投影与电流注入区域至少部分重叠。因此，主动层对应第二区处，是以较小的穿透位错密度形成，故可改善发光二极管的发光效率。

主权项

一种发光二极管，其特征在于，包含：第一型半导体层，具有第一区及第二区，其中所述第一区具有第一穿透位错密度，所述第二区具有第二穿透位错密度，且所述第一穿透位错密度大于所述第二穿透位错密度；主动层，连接于所述第一型半导体层；第二型半导体层，连接于所述主动层；以及至少一个电流控制结构，连接于所述第一型半导体层及所述第二型半导体层中的至少一个，所述电流控制结构具有至少一个电流注入区域，其中所述电流注入区域允许载子通过，且所述第二区在所述电流控制结构的垂直投影与所述电流注入区域至少部分重叠。