发明名称 |
背面带有标记的太赫兹肖特基二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管,涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体,所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底,所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记,用于指示所述二极管本体正面的电极位置,区分阴极和阳极。通过在衬底的背面上制作标记,区分二极管的阳极和阴极,避免装配错误,提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。 |
申请公布号 |
CN205692840U |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201620576393.5 |
申请日期 |
2016.06.14 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
王占华 |
主权项 |
一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管,包括太赫兹肖特基二极管本体,所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底(5),其特征在于:所述半绝缘GaAs衬底(5)的下表面设有标记(9),用于指示所述二极管本体正面的电极位置,区分阴极和阳极。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市合作路113号 |