发明名称 背面带有标记的太赫兹肖特基二极管
摘要 本实用新型公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管,涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体,所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底,所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记,用于指示所述二极管本体正面的电极位置,区分阴极和阳极。通过在衬底的背面上制作标记,区分二极管的阳极和阴极,避免装配错误,提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
申请公布号 CN205692840U 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201620576393.5 申请日期 2016.06.14
申请人 中国电子科技集团公司第十三研究所 发明人 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳
分类号 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L29/872(2006.01)I
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人 王占华
主权项 一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管,包括太赫兹肖特基二极管本体,所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底(5),其特征在于:所述半绝缘GaAs衬底(5)的下表面设有标记(9),用于指示所述二极管本体正面的电极位置,区分阴极和阳极。
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