掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法

摘要

本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜。本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率。

主权项

一种异质结晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：包括步骤：1)提供一晶体硅衬底，于所述晶体硅衬底上表面及下表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜；2)于所述晶体硅衬底的上表面的掺氧非晶硅锗薄膜表面制备P型硅基发射层、结合于所述P型硅基发射层表面的透明导电薄膜及结合于所述透明导电薄膜的前金属栅极；于所述晶体硅衬底的下表面的掺氧非晶硅锗薄膜表面制备N型硅基背场层、结合于所述N型硅基背场层的透明导电薄膜及结合于所述透明导电薄膜的后金属栅极。