一种介质钝化膜和太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种介质钝化膜和太阳能电池及其制备方法，具体地公开了一种适用于硅基材料的表面介质钝化膜，该介质钝化膜是位于硅基材料表面的氮化硅介质钝化膜，钝化膜中含有选自下组的掺杂元素：使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素、使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素、或其组合。本发明的表面介质钝化膜不仅具有优异的抗反射性和钝化性，而且可具有光照增强钝化效果，且在短时间的光照下就能到达饱和钝化值。此外，本发明还公开了一种含有该表面介质钝化膜的镀膜硅基材和太阳能电池及其制备方法。

主权项

一种适用于硅基材料的表面介质钝化膜，其特征在于，所述的表面介质钝化膜包括位于硅基材料表面的氮化硅介质钝化膜，并且所述的氮化硅介质钝化膜中含有掺杂元素，所述掺杂元素选自下组：使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素、使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素、或其组合；其中，所述使氮化硅介质钝化膜表现为负电性的掺杂元素选自：磷、砷、锑或其组合；所述使氮化硅介质钝化膜表现为正电性的掺杂元素选自：硼、铝、镓、铟、铊、锌或其组合；并且，所述氮化硅介质钝化膜的总电性为正电性，并且所述的硅基材料为n型或p型；或者所述氮化硅介质钝化膜的总电性为负电性，并且所述的硅基材料为p型或n型；并且，所述表面介质钝化膜是采用如下方法制备的：(a)提供一硅基材料；(b)在第一气体、第二气体和第三气体存在下，进行化学气相沉积反应，在所述硅基材料表面之上形成氮化硅介质钝化膜，从而制得所述的表面介质钝化膜或具有所述表面介质钝化膜的镀膜硅基材；其中，所述第一气体为硅烷或乙硅烷气体；所述第二气体为氨气；所述第三气体为含掺杂元素的气体，并且所述第三气体选自：磷化氢、砷化氢、锑化氢、铋化氢、三氟化磷、五氟化磷、硼烷、三氟化硼、三甲基铝(TMA)、三甲基镓(TMG)、三甲基铟(TMI)、二乙基锌(DeZn)或其组合；并且，在形成氮化硅介质钝化膜之后，对所述镀膜硅基材进行退火处理；并且，所述退火处理在150‑420℃进行。