发明名称 一种锗酸盐作为低损耗温度稳定型微波介电陶瓷的应用
摘要 本发明公开了一种锗酸盐Li<sub>3</sub>GaGeO<sub>5</sub>作为低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷的应用及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和GeO<sub>2</sub>的原始粉末按Li<sub>3</sub>GaGeO<sub>5</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1000℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1050~1100℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1100℃以下烧结良好,介电常数达到6.1~6.5,其品质因数Qf值高达75000‑96000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
申请公布号 CN106116528A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610485056.X 申请日期 2016.06.26
申请人 桂林理工大学 发明人 方亮;段炼;苏和平
分类号 C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/634(2006.01)I 主分类号 C04B35/01(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种锗酸盐作为高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述锗酸盐的化学组成为:Li<sub>3</sub>GaGeO<sub>5</sub>;所述锗酸盐的制备方法具体步骤为:(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和GeO<sub>2</sub>的原始粉末按Li<sub>3</sub>GaGeO<sub>5</sub>的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1000℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1050~1100℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。
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