发明名称 |
闪存的可靠性测试方法 |
摘要 |
本发明公开了一种闪存的可靠性测试方法,该方法通过两次测试步骤来对闪存进行筛选,第一次测试步骤直接筛选出不良品,将不能判定为不良品的闪存作为待确认良品,以便在第二次测试步骤中对该待确认良品进行进一步的测试,经过两次测试之后才筛选出真正的良品,提高了可靠性测试方法的准确度。另外,两次测试步骤中均对闪存施加电压应力,正确模拟了闪存在25℃(室温)条件下使用10年时所承受的正常应力条件,因而能够利用电压应力来激发闪存在短时间内产生跟正常应力水平下相同的失效,进而能够利用该可靠性测试方法来对失效反应活化能较低的闪存进行筛选。 |
申请公布号 |
CN103093834B |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201310032785.6 |
申请日期 |
2013.01.28 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
钱亮 |
分类号 |
G11C29/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种闪存的可靠性测试方法,其特征在于,包括:对闪存进行第一处理之后,从闪存中读取数据,获取第一测试结果,所述第一测试结果为读出电流或读出电压,将第一测试结果与第一判断标准进行比较,以在闪存上设置第一标识或第二标识,设置有第一标识的闪存为不良品,设置有第二标识的闪存为待确认良品;对设置有第二标识的闪存进行第二处理之后,从闪存中读取数据,获取第二测试结果,所述第二测试结果为读出电流或读出电压,将第二测试结果与第二判断标准进行比较,以在闪存上设置第三标识或第四标识,设置有第三标识的闪存为不良品,设置有第四标识的闪存为良品;所述第一处理、第二处理步骤中其中一个包括:向闪存中写入数据;写入数据之后,向闪存施加第一电压应力,包括:向闪存的源极线施加第一源极线电压、字线施加第一字线电压、位线施加第一位线电压;另一个包括:擦除闪存中的数据;擦除数据之后,向闪存施加第二电压应力,包括:向闪存的源极线施加第二源极线电压、字线施加第二字线电压、位线施加第二位线电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |