| 发明名称 | 在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构及方法 | ||
| 摘要 | 一种在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构，包括：一Si衬底；一AlN缓冲层，其生长在Si衬底的上面；一AlN层，其生长在AlN缓冲层的上面；一GaN三维岛状成核层，其生长在AlN层的上面；一SiN<sub>x</sub>掩膜层，其生长在GaN三维岛状成核层之上；一GaN恢复层，其生长在GaN三维岛状成核层上，并覆盖SiN<sub>x</sub>掩膜层；一GaN层，其生长在GaN恢复层上。本发明是通过应变调制层的引入，有效降低GaN外延层中的穿透位错密度。 | ||
| 申请公布号 | CN106128948A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610595054.6 | 申请日期 | 2016.07.26 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘波亭;马平;张烁;吴冬雪;王军喜;李晋闽 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构，包括：一Si衬底；一AlN缓冲层，其生长在Si衬底的上面；一AlN层，其生长在AlN缓冲层的上面；一GaN三维岛状成核层，其生长在AlN层的上面；一SiN<sub>x</sub>掩膜层，其生长在GaN三维岛状成核层之上；一GaN恢复层，其生长在GaN三维岛状成核层上，并覆盖SiN<sub>x</sub>掩膜层；一GaN层，其生长在GaN恢复层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||