| 发明名称 | 半导体晶片及在半导体晶片中制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体晶片(105)中制造半导体装置的方法包括在所述半导体晶片中形成电荷补偿装置结构(111，112)。测量与所述电荷补偿装置结构(111，112)相关的电特性(α<sub>i</sub>)。基于测得的电特性(α<sub>i</sub>)调节质子辐射参数和退火参数中的至少一个。基于调节后的质子辐射参数和退火参数中的至少一个以质子照射所述半导体晶片(105)并对所述半导体晶片(105)退火。基于测得的电特性(α<sub>i</sub>)针对所述半导体晶片(105)上的不同位置调节光子束辐射参数。基于所述光子束辐射参数以光子束(137)在所述半导体晶片的不同位置处照射所述半导体晶片(105)。 | ||
| 申请公布号 | CN106128967A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610283766.4 | 申请日期 | 2016.04.29 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | W·扬奇尔;H-J·舒尔策;H·韦伯 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L27/085(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 周家新 |
| 主权项 | 一种在半导体晶片(105)中制造半导体装置的方法，所述方法包括：在所述半导体晶片中形成电荷补偿装置结构(111，112)；测量与所述电荷补偿装置结构(111，112)相关的电特性(α<sub>i</sub>)；基于测得的电特性(α<sub>i</sub>)调节质子辐射参数和退火参数中的至少一个；基于调节后的质子辐射参数和退火参数中的至少一个以质子照射所述半导体晶片(105)并对所述半导体晶片(105)退火；基于测得的电特性(α<sub>i</sub>)针对所述半导体晶片(105)上的不同位置调节光子束辐射参数；并且基于所述光子束辐射参数以光子束(137)在所述半导体晶片的不同位置处照射所述半导体晶片(105)。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||