半导体晶片表面保护用胶带

摘要

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其中，在基材膜上具有粘合剂层，基材膜的总厚度为50μm～200μm，高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度之比为1：9～5：5，高弹性模量层配置在粘合剂层的背面，且为由聚丙烯或直链状的聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物构成，粘合剂层的厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下。

主权项

一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，所述基材膜的总厚度为50μm～200μm，其是由高弹性模量层与低弹性模量层构成的复合基材膜，该高弹性模量层与该低弹性模量层的厚度的比例、即高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度为1：9～5：5的范围，所述高弹性模量层配置在所述粘合剂层背面、即配置在基材膜的与涂布粘合剂层的面相反的面，且为由聚丙烯或直链状聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，所述低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、且MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物构成，所述半导体晶片表面保护用胶带的所述粘合剂层厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下；其中，所述“粘合力”是指将2kg的橡胶辊往复3次施加于被粘合体而进行压接，放置1小时后，使用符合JIS B 7721的拉伸试验机，利用180度剥离法以速度300mm/min进行测定时的粘合力；所述“未加热时”、“未照射紫外线时”、“紫外线照射后”的测定条件是均为以24℃、相对湿度50％获得的值；所述SUS研磨面是指利用JIS R 6253中规定的280号耐水研磨纸进行了精加工的JIS G 4305中规定的厚度1.5mm～2.0mm的SUS钢板的面。