发明名称 一种去除冶金级硅中杂质的方法
摘要 本发明涉及一种去除冶金级硅中杂质的方法,属于硅提纯技术领域。首先将少量的添加剂(锆、铪、含锆合金或含铪合金)和工业硅同时进行熔炼,待物料完全熔化后冷却至室温,并研磨成小于186μm的硅粉,先后用王水、HF+HCl混酸进行酸洗得到高纯硅。本发明不仅能有效去除硅提纯领域中最难去除的硼杂质,对其他杂质的去除也有明显的效果。
申请公布号 CN106115717A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610706125.5 申请日期 2016.08.23
申请人 昆明理工大学 发明人 雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;秦博;李绍元;刘战伟;于洁;戴永年
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种去除冶金级硅中杂质的方法,具体步骤如下:(1)将添加剂和工业硅同时在惰性气体氛围下进行熔炼;(2)将步骤(1)中完全熔化的硅熔体冷却至室温;(3)将步骤(2)得到的硅研磨成粉;(4)将步骤(3)得到的硅粉先后用王水、HF+HCl混酸进行酸洗后得到高纯硅。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号