发明名称 |
一种去除冶金级硅中杂质的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种去除冶金级硅中杂质的方法,属于硅提纯技术领域。首先将少量的添加剂(锆、铪、含锆合金或含铪合金)和工业硅同时进行熔炼,待物料完全熔化后冷却至室温,并研磨成小于186μm的硅粉,先后用王水、HF+HCl混酸进行酸洗得到高纯硅。本发明不仅能有效去除硅提纯领域中最难去除的硼杂质,对其他杂质的去除也有明显的效果。 |
申请公布号 |
CN106115717A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610706125.5 |
申请日期 |
2016.08.23 |
申请人 |
昆明理工大学 |
发明人 |
雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;秦博;李绍元;刘战伟;于洁;戴永年 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种去除冶金级硅中杂质的方法,具体步骤如下:(1)将添加剂和工业硅同时在惰性气体氛围下进行熔炼;(2)将步骤(1)中完全熔化的硅熔体冷却至室温;(3)将步骤(2)得到的硅研磨成粉;(4)将步骤(3)得到的硅粉先后用王水、HF+HCl混酸进行酸洗后得到高纯硅。 |
地址 |
650093 云南省昆明市五华区学府路253号 |