LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层，N型半导体层上形成有N型台面；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的电流扩散层；位于未被电流阻挡层与电流扩散层覆盖的P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P电极、位于电流扩散层上方且与P电极电性连接的扩展电极、以及位于N型台面上且与N型半导体层电性连接的N电极。本发明的P电极下方未设置电流阻挡层和电流扩散层，P电极直接形成于P型半导体层上，增大了芯片电极的稳定性，且可以提高芯片的亮度。

主权项

一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层，N型半导体层上形成有N型台面；位于所述N型半导体层上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层、以及位于P型半导体层上且覆盖电流阻挡层的电流扩散层；位于未被电流阻挡层与电流扩散层覆盖的P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P电极、位于电流扩散层上方且与P电极电性连接的扩展电极、以及位于N型台面上且与N型半导体层电性连接的N电极。