一种离子注入方法

摘要

本发明提供了一种离子注入方法，通过将经离子注入的绝缘层部分或全部去除，再在去除绝缘层的位置生成一层新绝缘层，从而减少绝缘层中的金属杂质对后续工艺所形成的结构的污染，使得绝缘层具有良好的电气绝缘性；并且，避免了离子中所形成的金属杂质进入绝缘层进而向周围扩散，造成离子注入区域和其它结构的污染，提高了半导体衬底的清洁度，进一步提高了半导体器件的性能。

主权项

一种离子注入方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一半导体衬底，并且在半导体衬底表面形成绝缘层；步骤02：在所述绝缘层上涂覆光刻胶，经光刻，在光刻胶中刻蚀出开口，开口底部暴露出绝缘层表面；步骤03：以光刻胶为掩膜，通过光刻胶的开口向绝缘层和半导体衬底中进行离子注入，从而在开口下方的绝缘层中形成缺陷区域，以及对应于开口下方的半导体衬底中形成离子注入区域；步骤04：去除光刻胶；步骤05：去除部分或全部所述的缺陷区域；步骤06：采用热处理工艺在去除的缺陷区域的位置形成新绝缘层。