一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法

摘要

本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区，利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处理，因此能够有效地降低掺杂过程对二维半导体造成的损伤及由此带来的器件性能退化，提升掺杂后器件性能的稳定性。

主权项

一种基于二维半导体的电子器件，其特征在于，包括：绝缘介质层、沟道区、第一电极、第二电极，所述绝缘介质的材料为SiO₂或高k介质，所述沟道区为二维半导体层；所述绝缘介质层设置有掺杂区或填充区，所述掺杂区含有对所述二维半导体层具有掺杂效应的掺杂剂，所述填充区填充有对所述二维半导体层具有掺杂效应的固体材料，所述掺杂效应为n型掺杂或p型掺杂；所述二维半导体层位于所述绝缘介质层之上，且所述二维半导体层的至少一部分位于所述掺杂区或所述填充区之上；所述第一电极和第二电极位于所述沟道区的两侧。