一种新型的碳纳米晶体管存储器的测试方法

摘要

本发明是一种碳纳米晶体管存储器的测试方法，包括步骤：1）使用跳跃测试算法对碳纳米晶体管存储器进行测试，快速定位错误段的位置，得到存储器的错误分布信息；2）对得出的错误信息，通过冗余分析结构进行冗余分析，得出可修复的芯片和不可修复的芯片；3）对可修复的芯片，对未测试的位置进行行进式测试算法检测所有存储单元，得到准确错误信息；本发明在早期就通过本发明提出的测试方法筛选出那些具有严重级联故障的CNFET‑SRAM芯片，节省后续的行进式测试成本；有效减少被测存储单元的数目，测试方法简单利于实现，配合冗余资源分析部件，可以快速的判定芯片是否可以被修复，提高检测速度，减少不必要的后续开销。

主权项

一种碳纳米晶体管存储器的测试方法，其特征在于所述测试方包括步骤：1）使用跳跃测试算法对碳纳米晶体管存储器进行测试，快速定位错误段的位置，得到存储器的错误分布信息；2）对得出的错误信息，通过冗余分析结构进行冗余分析，得出可修复的芯片和不可修复的芯片；3）对可修复的芯片，对未测试的位置进行行进式测试算法检测所有存储单元，得到准确错误信息；4）对不能修复的芯片，直接丢弃。