发明名称 |
一种发光二极管的外延片及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层,成核层包括层叠的多层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层,各层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的掺杂浓度不变,多层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化,通过成核层包括层叠的多层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层,且各层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的掺杂浓度不变,多层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化,有利于电流的扩展,降低了外延片的电阻,进而降低外延片的正向电压,减少LED的能耗和发热量,延长使用寿命。 |
申请公布号 |
CN106129201A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610620080.X |
申请日期 |
2016.07.29 |
申请人 |
华灿光电(浙江)有限公司 |
发明人 |
代露;万林;胡加辉 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 |
代理人 |
徐立 |
主权项 |
一种发光二极管的外延片,所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层,其特征在于,所述成核层包括层叠的多层N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层,其中,0≤X≤1,各层所述N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的掺杂浓度不变,多层所述N型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向连续变化。 |
地址 |
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村(浙江四达工具有限公司内) |