| 发明名称 | 1064nm增强型Si‑PIN光电探测器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种1064nm增强型Si‑PIN光电探测器，该光电探测器由N型衬底层、P+区、黑硅层、N+区、钝化膜、增透膜、P电极和N电极组成；本发明还公开了前述光电探测器的制作方法；本发明的有益技术效果是：该1064nm增强型Si‑PIN光电探测器在1064nm波长处的响应度达到0.6A/W，比普通器件响应度提高了一倍，同时还具有成本低、易于集成、响应速度快和响应度高、稳定可靠等特点，在大规模市场化方面具有显著的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN106129145A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610538986.7 | 申请日期 | 2016.07.11 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 黄烈云;廖乃镘;罗春林;王艳 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人 | 侯懋琪;侯春乐 |
| 主权项 | 一种1064nm增强型Si‑PIN光电探测器，其特征在于：所述1064nm增强型Si‑PIN光电探测器由N型衬底层（1）、P+区（2）、黑硅层（3）、N+区（4）、钝化膜（5）、增透膜（6）、P电极（7）和N电极（8）组成；所述P+区（2）形成于N型衬底层（1）的正面；所述黑硅层（3）形成于N型衬底层（1）的背面；所述增透膜（6）覆盖在P+区（2）表面，增透膜（6）上设置有P电极孔，P电极（7）设置于P电极孔内并与P+区（2）接触；所述N+区（4）覆盖在黑硅层（3）表面；所述钝化膜（5）覆盖在N+区（4）表面，钝化膜（5）上设置有N电极孔，N电极（8）设置于N电极孔内并与N+区（4）接触；所述P+区（2）形成有源区。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所 | ||