フェーズヒステリシス磁気ジョセフソン接合メモリセル

摘要

１つの実施形態では、メモリセルについて説明する。メモリセルが、書き込み電流に応答して、二値論理の「１」状態に対応する第１の二値論理状態および二値論理の「０」状態に対応する第２の二値論理状態のうちの１つを記憶するように、かつ、記憶されたデジタル状態に基づいて超伝導相を生成するように、構成されるフェーズヒステリシス磁気ジョセフソン接合（ＰＨＭＪＪ）を含む。メモリセルは、ＰＨＭＪＪの超伝導相に基づく臨界電流を有し、かつ、読み出し電流に応答して記憶されたデジタル状態に対応した出力を供給するように構成された、少なくとも１つのジョセフソン接合も含む。