发明名称 |
一种金属硫化物包覆单壁碳纳米管纳米电缆及其合成方法 |
摘要 |
一种金属硫化物包覆单壁碳纳米管纳米电缆及其合成方法,涉及一种电缆及其合成方法,采用化学气相沉积(CVD)热反应法的方式原位制备;将石墨、催化剂、含硫生长促进剂、硅粉、金属粉或金属化合物粉压制;采用惰性气氛作为保护气氛及载气,石墨、催化剂、含硫生长促进剂、硅粉反应生成单壁碳纳米管;含硫生长促进剂与金属粉或金属化合物粉反应生成金属硫化物,单壁碳纳米管和金属硫化物团簇离开原料表面,流向低温区;在此过程中,金属硫化物团簇包覆于单壁碳纳米管表面。该电缆具有优良的光电化学特性,电缆的芯体仅有一根或几根单壁碳纳米管构成,将有利于单壁碳纳米管纳米尺度电效应的发挥,体现出更加优异的新奇特性。 |
申请公布号 |
CN106082166A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610404733.0 |
申请日期 |
2016.06.12 |
申请人 |
沈阳化工大学 |
发明人 |
张艳丽;何向明 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;C01G9/08(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳技联专利代理有限公司 21205 |
代理人 |
张志刚 |
主权项 |
一种金属硫化物包覆单壁碳纳米管纳米电缆,其特征在于,所述电缆原料为石墨、催化剂、含硫生长促进剂、硅粉、金属粉或金属化合物粉,金属硫化物团簇包覆于单壁碳纳米管表面,形成纳米电缆;催化剂为铁、钴、镍过渡族元素之一种或两种以上混合,加入量为0.01‑40.0 wt.%;含硫生长促进剂的加入量为0.01‑30.0 wt.%;硅粉的加入量为0‑40.0 wt.%;金属粉或金属化合物粉加入量为0.005‑30.0 wt.%;余量为石墨。 |
地址 |
110142 辽宁省沈阳市经济技术开发区11号 |