| 发明名称 | 一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法。所述的含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，其化学式为Cs<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>Br<sub>x</sub>I<sub>9‑x</sub>，其中，x＝1‑6.85。本发明的通式为Cs<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>Br<sub>x</sub>I<sub>9‑x</sub>的半导体材料，具有可调节的直接带隙能，在本发明的实施例中最小可调节至1.99eV，低于现有材料Cs<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>Br<sub>9</sub>或Cs<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>I<sub>9</sub>的带隙能，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围。 | ||
| 申请公布号 | CN106082329A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610407141.4 | 申请日期 | 2016.06.12 |
| 申请人 | 上海科技大学 | 发明人 | 米启兮;汪瑶 |
| 分类号 | C01G29/00(2006.01)I;G01N31/16(2006.01)I | 主分类号 | C01G29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 翁若莹;王婧 |
| 主权项 | 一种含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，其化学式为Cs<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>Br<sub>x</sub>I<sub>9‑x</sub>，其中，x＝1‑6.85。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路100号 | ||