发明名称 |
一种新型屏蔽结构及其设计方法 |
摘要 |
一种新型屏蔽结构及其设计方法。主要解决了现有技术方案造价昂贵,屏蔽效果不理想的问题。其构造为闭合线圈同轴单轴排列,由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层,闭合线圈串联在一起,连接电源,设计方法步骤为,利用毕奥‑萨伐尔定律建立解析模型;采用镜像模型的方法构建包括外层导磁材料边界条件的线圈磁场分布模型;通过泰勒展开使二、四、六阶等偶数阶次系数在x=0时为零,解出线圈间距、安匝数比值等关键结构参数。具有成本低廉,磁场屏蔽效果好的特点。 |
申请公布号 |
CN106102427A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610388904.5 |
申请日期 |
2016.06.03 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
潘东华;李立毅;孙芝茵;李吉;曹沁婕;林生鑫 |
分类号 |
H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05K9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 |
代理人 |
范光晔 |
主权项 |
一种新型屏蔽结构,包括闭合线圈、外屏蔽层,其特征在于:所述的闭合线圈同轴单轴排列,由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层,闭合线圈串联在一起,连接电源。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |