| 发明名称 | 与作为蚀刻停止的SiGeC层接合的半导体结构 | ||
| 摘要 | 用接合在一起的第一晶片(例如，操作晶片)和第二晶片(例如，块状硅晶片)来形成半导体结构。第二晶片包括有源层，该有源层在一些实施例中是在这两个晶片接合在一起之前形成的。通过将SiGeC层用作蚀刻停止，在有源层的与第一晶片相对的一侧上将基板从第二晶片移除。在一些实施例中，SiGeC层随后被移除，但是在其他某些实施例中，SiGeC层保留作为应变引发层。 | ||
| 申请公布号 | CN106104749A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201580015187.5 | 申请日期 | 2015.03.18 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | S·A·法内利 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 唐杰敏 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成具有第一接合材料的第一晶片；形成具有基板、SiGeC层、有源层和第二接合材料的第二晶片，所述有源层位于所述SiGeC层与所述第二接合材料之间；在所述第一接合材料和第二接合材料处，将所述第二晶片接合到所述第一晶片；以及通过将所述SiGeC层用作蚀刻停止来移除所述基板。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||