| 发明名称 | 半导体装置以及其试验方法 | ||
| 摘要 | 目的在于提供一种能够抑制评价时的放电的技术。半导体装置(1)具有：半导体基体(11)，其具有元件区域(11a)以及末端区域(11b)；多个电极焊盘(12)，它们配置于半导体基体(11)的元件区域(11a)之中的与末端区域(11b)分离的区域之上；绝缘性的保护膜(13)，其在各电极焊盘(12)之上设置有开口部(13a)；以及多个导电层(14)，其配置于保护膜(13)之上，经由开口部(13a)而与多个电极焊盘(12)分别电连接。在俯视观察时，各导电层(14)延伸设置至末端区域(11b)或者其附近。 | ||
| 申请公布号 | CN106104780A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201480076889.X | 申请日期 | 2014.03.06 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 秋山肇;冈田章;山下钦也 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有：半导体基体，其具有在俯视观察时彼此相邻的元件区域以及末端区域；多个电极焊盘，它们配置于所述半导体基体的所述元件区域之中的与所述末端区域分离的区域之上；绝缘性的保护膜，其配置于所述半导体基体的所述元件区域以及所述末端区域之上，在各所述电极焊盘之上设置有开口部；以及多个导电层，它们配置于所述保护膜之上，经由所述开口部而与所述多个电极焊盘分别电连接，在俯视观察时，各所述导电层延伸设置至所述末端区域或者其附近。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||