发明名称 可调谐SOI激光器
摘要 一种波长可调谐绝缘体上硅(SOI)激光器(1)包括:激光腔,包括:具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2),其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22);以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3),相位可调谐波导平台包括:第一谐振器(34)和第二谐振器(35);至少一个谐振器是相位可调谐谐振器;其中第一谐振器是下列任一个:MMI装置(34),包括限定它们之间的谐振腔的一对反射表面,使得该装置配置成充当法布里‑珀罗滤波器;环形谐振器;或者波导法布里‑珀罗滤波器;并且其中第二谐振器是下列任一个:MMI装置,包括限定它们之间的谐振腔的一对反射表面,使得该装置配置成充当法布里‑珀罗滤波器;环形谐振器;或者波导法布里‑珀罗滤波器。来自谐振器的输出耦合可由1×3耦合器(4)来实现,并且谐振器可包括用于波长微调的附加相位调谐元件(53)。
申请公布号 CN106104947A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201580012694.3 申请日期 2015.01.19
申请人 洛克利光子有限公司 发明人 A.G.里克曼;A.齐尔基
分类号 H01S5/02(2006.01)I;H01S5/14(2006.01)I 主分类号 H01S5/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王星;刘春元
主权项 一种波长可调谐绝缘体上硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:半导体增益介质,具有前端和后端;以及相位可调谐波导平台,耦合到所述半导体增益介质的所述前端,所述相位可调谐波导平台包括:第一多模干涉(MMI)装置和第二MMI装置,每个MMI装置包括限定它们之间的谐振腔的一对反射表面,使得所述装置配置成充当法布里‑珀罗滤波器;其中所述MMI装置的至少一个是相位可调谐MMI装置。
地址 英国威尔特郡
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