| 发明名称 | 用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法和装置。用于计算RF功率MOSFET的结温的方法包括以下步骤：在模拟域中建立RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数，利用采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立结温补偿模型；并且通过向结温补偿模型输入实际输入来计算RF功率MOSFET的结温。本发明改进了在确定RF功率MOSFET结温中的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN106104234A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201580011965.3 | 申请日期 | 2015.03.03 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | 曾克秋;T·王;K·塞南 |
| 分类号 | G01K7/01(2006.01)I;G01K7/42(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李光颖;王英 |
| 主权项 | 一种用于计算RF功率MOSFET的结温的方法，包括以下步骤：在模拟域中建立(S1)所述RF功率MOSFET的瞬态热阻抗模型；使用双线性变换来计算(S2)所述瞬态热阻抗模型在时间域中的传递函数；基于所述瞬态热阻抗模型在时间域中的所述传递函数，利用优选采样频率和二阶IIR滤波器结构的类型来在数字域中建立(S3)结温补偿模型；并且通过向所述结温补偿模型输入实际输入来计算(S4)所述RF功率MOSFET的所述结温。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||