发明名称 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法
摘要 本发明提出的是一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵(NH<sub>4</sub>HF<sub>2</sub>)溶液和质量浓度为15%氢氟酸(HF)溶液的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢氟酸溶液腐蚀石英晶体片;4)腐蚀石英晶体片时腐蚀液温度为36℃;若石英晶体片总体需要腐蚀去掉的厚度为t,则氟化氢铵和氢氟酸混合溶液腐蚀去掉的厚度为t*1/3,氢氟酸溶液腐蚀去掉的厚度为t*2/3。优点:用两种腐蚀溶液腐蚀石英晶体片表面,解决了以往改善石英晶体片表面粗糙度必须研磨抛光的做法。设备投资少、操作简便、生产效率高、加工成本低、产品品质容易控制。
申请公布号 CN106087066A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610417186.X 申请日期 2016.06.15
申请人 廊坊中电熊猫晶体科技有限公司 发明人 吴敬军
分类号 C30B33/10(2006.01)I 主分类号 C30B33/10(2006.01)I
代理机构 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人 沈根水
主权项 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,其特征是该方法包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵和质量浓度为15%氢氟酸的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢氟酸溶液腐蚀石英晶体片;4)腐蚀石英晶体片时腐蚀液温度为36℃;若石英晶体片总体需要腐蚀去掉的厚度为t,则氟化氢铵和氢氟酸混合溶液腐蚀去掉的厚度为t*1/3, 氢氟酸溶液腐蚀去掉的厚度为t*2/3。
地址 065001 河北省廊坊市经济技术开发区景明道2号CEC廊坊工业园