| 发明名称 | 低凹陷的铜化学机械抛光 | ||
| 摘要 | 本发明公开了铜化学机械抛光(CMP)制剂、方法和系统。CMP制剂包含颗粒材料、至少两种或更多种氨基酸、氧化剂、腐蚀抑制剂，并且其余为水。 | ||
| 申请公布号 | CN106085245A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610049633.0 | 申请日期 | 2016.01.25 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 史晓波;J·A·施吕特;J·罗斯;M·L·奥尼尔;M·格雷夫 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;C23F3/04(2006.01)I;C23F3/06(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴亦华;吕小羽 |
| 主权项 | 铜化学机械抛光(CMP)制剂，其包含：0.001至0.25重量％的颗粒材料，0.01至16重量％的至少两种氨基酸，0.25至5重量％的氧化剂，0.1ppm至2重量％的腐蚀抑制剂，并且其余为水；其中所述颗粒材料选自火成二氧化硅、胶体二氧化硅、火成氧化铝、胶体氧化铝、氧化铈、二氧化钛、氧化锆、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、云母、水合硅酸铝及其混合物；并且所述制剂的pH为2至12。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||