发明名称 低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料及其制备方法,其原料组分及百分比含量为:[a wt%(xMO‑ySiO<sub>2</sub>)+b wt%CaAlSiO+c wt%CT+d wt%CeO<sub>2</sub>],其中:x=0.9~2.2,y=0.9~2.0,为(xMO‑ySiO<sub>2</sub>)的摩尔百分比含量;a=60~90,b=0~7,C=8~15,d=0~0.2,a,b,c,d均是所加原料的质量百分比含量;M为Mg,Zn中的一种或者多种;CaAlSiO为Ca<sub>2</sub>Al<sub>2</sub>SiO<sub>7</sub>或CaAl<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>;CT为CaTiO<sub>3</sub>或者TiO<sub>2</sub>。采用本发明的瓷介材料制成的温度稳定型多层陶瓷电容器生产工艺简单、制作成本低,具有低介电常数、低介电损耗、高温度稳定性且可调,适合更高频率的应用。
申请公布号 CN106083019A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610382162.5 申请日期 2016.06.01
申请人 福建火炬电子科技股份有限公司 发明人 陈永虹;谢显斌;林志盛;黄详贤;吴金剑;张子山;蔡劲军
分类号 C04B35/20(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I;H01G13/00(2013.01)I 主分类号 C04B35/20(2006.01)I
代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人 李秀梅
主权项 低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料,其特征在于:其原料组分及百分比含量为:[a wt%(xMO‑ySiO<sub>2</sub>)+b wt%CaAlSiO+c wt%CT+d wt%CeO<sub>2</sub>],其中:x=0.9~2.2,y=0.9~2.0,为(xMO‑ySiO<sub>2</sub>)的摩尔百分比含量;a=60~90,b=0~7,C=8~15,d=0~0.2,a,b,c,d均是所加原料的质量百分比含量;M为Mg,Zn中的一种或者多种;CaAlSiO为Ca<sub>2</sub>Al<sub>2</sub>SiO<sub>7</sub>或CaAl<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>;CT为CaTiO<sub>3</sub>或者TiO<sub>2</sub>。
地址 362000 福建省泉州市高新技术产业园(江南园)紫华路4号