| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
반도체 장치는 기판 상에 제2 방향으로 연장된 게이트 구조물, 제2 방향과 교차하는 제1 방향으로 게이트 구조물에 인접한 기판의 부분 상에 형성된 소스/드레인 층, 게이트 구조물 상에 형성된 제1 도전성 콘택 플러그, 및 소스/드레인 층 상에 형성되며, 제2 방향을 따라 배치되어 서로 접촉하는 제2 도전성 콘택 플러그 및 절연막 패턴을 갖는 제2 콘택 플러그 구조물을 포함한다. 제1 도전성 콘택 플러그와 절연막 패턴은 제1 방향으로 서로 인접하되, 제1 및 제2 도전성 콘택 플러그들은 서로 이격된다. |
| 申请公布号 |
KR20160129372(A) |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
| 申请号 |
KR20150061423 |
申请日期 |
2015.04.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, YOON HAE;RHEE, HWA SUNG;CHO, KEUN HWI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/3205 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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