| 摘要 |
본 발명의 실시예는 쵸크랄스키법으로 실리콘 용융액에서 목표로 하는 비저항을 갖는 단결정 잉곳을 성장시키는 방법으로서, 원부자재 내에 포함된 도펀트 농도에 따른 비저항값을 도출하여 이를 신뢰성있는 데이터로 테이블화하는 단계, 목표로 하는 비저항값에 대한 도펀트 농도의 기준값을 설정하는 단계, 상기 원부자재 자체에 포함된 도펀트 농도에 대한 측정값을 도출하는 단계, 상기 기준값과 측정값 간의 차이값을 산출하는 단계, 상기 차이값만큼 상기 실리콘 용융액에 카운터 도핑(counter doping)을 실시하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 원부자제 자체에 포함된 불순물의 개선없이 8KΩ 이상의 비저항을 갖는 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다. |
