发明名称 |
微电机结构的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种微电机结构的制造方法,包括步骤:在基片上制备微机结构的e层图形。在基片上形成非感光性聚酰亚胺膜层。采用光刻工艺并做进一步显影或干法刻蚀形成非感光性聚酰亚胺图形。去除光刻胶图形。对非感光性聚酰亚胺图形进行填充,并形成g层膜层。对g层膜层进行光刻刻蚀形成g层图形。采用显影去除非感光性聚酰亚胺图形,形成微机结构。本发明能简化工艺条件、降低工艺的复杂度和成本,采用简单工艺就能实现较大范围厚度变化的膜层制备、以满足不同微机结构对工艺上的需求。 |
申请公布号 |
CN103864003B |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201210552739.4 |
申请日期 |
2012.12.18 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
程晋广 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种微电机结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在基片上制备微机结构的e层图形;步骤二、采用旋涂和烘烤工艺在形成有所述e层图形的所述基片上形成非感光性聚酰亚胺膜层;步骤三、采用光刻工艺在所述非感光性聚酰亚胺膜层上形成光刻胶图形,对所述光刻胶图形下方的所述非感光性聚酰亚胺膜层做进一步显影或干法刻蚀形成非感光性聚酰亚胺图形;步骤四、去除所述光刻胶图形,形成由所述非感光性聚酰亚胺图形组成的f层图形;步骤五、对所述非感光性聚酰亚胺图形进行填充,填充物的底部和所述e层图形相连接;在形成有所述填充物的所述非感光性聚酰亚胺图形表面形成g层膜层;步骤六、采用光刻刻蚀工艺对所述g层膜层进行刻蚀形成g层图形,所述g层图形通过所述填充物和所述e层图形连接;步骤七、采用显影去除所述非感光性聚酰亚胺图形,形成由所述g层图形、所述填充物和所述e层图形连接形成的所述微机结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |