发明名称 |
氧等离子体蚀刻用抗蚀材料、抗蚀膜和使用抗蚀膜的层叠体 |
摘要 |
本发明提供一种氧等离子体蚀刻用抗蚀材料,其特征在于,是一种含有复合树脂(A)的干式蚀刻用抗蚀材料,上述复合树脂(A)具有聚硅氧烷链段(a1)和乙烯基系聚合物链段(a2),上述聚硅氧烷链段(a1)具有通式(1)和/或通式(2)表示的结构单元以及硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基,该氧等离子体蚀刻用抗蚀材料的总固体成分量中的硅原子的含量为15~45wt%。 |
申请公布号 |
CN106104753A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201580013836.8 |
申请日期 |
2015.03.12 |
申请人 |
DIC株式会社 |
发明人 |
矢木直人;伊部武史;谷本尚志;矢田真 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;B29C59/02(2006.01)I;C08G77/442(2006.01)I;C08G81/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
苗堃;金世煜 |
主权项 |
一种氧等离子体蚀刻用抗蚀材料,其特征在于,是含有复合树脂(A)的干式蚀刻用抗蚀材料,所述复合树脂(A)是聚硅氧烷链段(a1)与乙烯基系聚合物链段(a2)介由通式(3)表示的键进行键合而成的,其中,所述聚硅氧烷链段(a1)具有通式(1)和/或通式(2)表示的结构单元以及硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基,该氧等离子体蚀刻用抗蚀材料的总固体成分量中的硅原子的含量为15~45wt%,<img file="FDA0001113877170000011.GIF" wi="598" he="711" />通式(1)和(2)中,R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自独立地表示具有选自‑R<sup>4</sup>‑CH=CH<sub>2</sub>、‑R<sup>4</sup>‑C(CH<sub>3</sub>)=CH<sub>2</sub>、‑R<sup>4</sup>‑O‑CO‑C(CH<sub>3</sub>)=CH<sub>2</sub>和‑R<sup>4</sup>‑O‑CO‑CH=CH<sub>2</sub>中的1个聚合性双键的基团、碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为3~8的环烷基、芳基或者碳原子数为7~12的芳烷基,且R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>中至少一个为具有聚合性双键的基团,其中,R<sup>4</sup>表示单键、芳基或者碳原子数1~6的亚烷基,<img file="FDA0001113877170000012.GIF" wi="734" he="253" />通式(3)中,碳原子构成所述乙烯基系聚合物链段(a2)的一部分,仅与氧原子键合的硅原子构成所述聚硅氧烷链段(a1)的一部分。 |
地址 |
日本东京都 |