发明名称 |
一种氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法 |
摘要 |
一种氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法,涉及超级电容器电极材料的制备技术领域,以明胶为碳源和氮源,SiO<sub>2</sub>作为模板,经明胶自由组装再高温炭化,形成片层结构,最后用NaOH溶液将SiO<sub>2</sub>刻蚀除去,得到孔径均一的氮掺杂多孔碳片层材料。本发明的优点在于制备出的电极材料在增大比表面积同时,也利用氮掺杂增加了材料的导电性和表面润湿性,二者协同得到高比电容和高稳定性的碳材料。并且所得材料的石墨化程度高,在电容器电极材料等领域有重要的应用价值。 |
申请公布号 |
CN106082161A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610388899.8 |
申请日期 |
2016.06.06 |
申请人 |
扬州大学 |
发明人 |
范磊;杨莉;徐祥东;郭荣 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
扬州市锦江专利事务所 32106 |
代理人 |
江平 |
主权项 |
一种氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将明胶和SiO<sub>2</sub>分散于去离子水中,取得混合均匀的透明溶液,将透明溶液置于60℃条件下搅拌反应,取得溶胶,将溶胶平铺于玻璃板上,经干燥后,自玻璃板上刮取膜制品;2)在氮气保护下,将膜制品置于真空管式炉中煅烧,取得SiO<sub>2</sub>/C片层材料;3)将SiO<sub>2</sub>/C片层材料置于NaOH水溶液中浸泡后,洗涤至中性,再烘干,即得氮掺杂多孔碳片层材料。 |
地址 |
225009 江苏省扬州市大学南路88号 |