用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法及装置

摘要

本发明提供了一种用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法及装置。本发明在非晶硅薄膜上用电子束辐照进行晶化，以生长纳米硅结构，这样的方式具有纳米硅生长速度快、纳米形貌尺寸可控与尺度分布范围较窄等优点。可用于制备发光量子点材料，发光效果很好。本发明方法简单，易于实施，成本低廉，使用效果好。

主权项

一种用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法，其特征在于：在非晶硅薄膜上用电子束辐照进行晶化，生长纳米硅结构；所述的纳米硅结构包括硅量子点或硅量子面结构。