反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法

摘要

本申请提供了一种反熔丝结构、反熔丝存储器及其制作方法，采用至少一层高介电常数K介质层作为反熔丝层，仅需薄薄的一层即可起到反熔丝结构中的绝缘作用，当所述反熔丝层被预设电压击穿后，比现有的反熔丝结构的电阻低，从而使本发明的存储器在编程后的整体电阻低，降低了应用此存储器的电路的耗。或者，在反熔丝结构中，通过在通孔内构成反熔丝层，使得反熔丝层限制于通孔内，当所述反熔丝层被预设电压击穿后，具有比现有的反熔丝结构更低的电阻，从而使本发明的反熔丝结构的整体电阻低，降低了电路的功耗。

主权项

一种反熔丝存储器，其特征在于，包括：相对设置的两个金属电极层，所述金属电极层间设置有反熔丝层，所述反熔丝层与所述两个金属电极层电连接，所述反熔丝层包括至少一层高介电常数K介质层。