一种由硫酸铜制备铜铟硫光电薄膜的方法

摘要

一种由硫酸铜制备铜铟硫光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu₂SO₄·5H₂O、In(NO₃)₃·4.5H₂O、CH₃CSNH₂放入溶剂中混合均匀，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品浸泡24小时后进行干燥，得到铜铟硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为CuInS₂相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

主权项

一种由硫酸铜制备铜铟硫光电薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：a.玻璃基片的清洗；b.将1.67份Cu₂SO₄·5H₂O、2.55份In(NO₃)₃·4.5H₂O和1.0份CH₃CSNH₂放入13.3份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合；c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触；将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间5～40小时，然后冷却到室温取出；e.将步骤d所得物在去离子水中浸泡24小时，然后进行常温自然干燥，得到铜铟硫光电薄膜。