发明名称 |
一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 |
摘要 |
一种晶硅太阳电池贱金属正面电极,该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极,底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相,结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能,在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆,依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极,低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极,替代贵金属银电极。 |
申请公布号 |
CN106098808A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610649477.1 |
申请日期 |
2016.08.10 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
李涛;王文静 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲 |
主权项 |
一种晶硅太阳电池贱金属正面电极,其特征在于:所述的晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极,所述复合电极的底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北二条6号 |