发明名称 |
一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜及其制备方法。聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜中氮化硼含量为1~40wt%,制备方法为在溶液中将氮化硼由表面改性剂改性,得到表面改性氮化硼;在溶液状态下,将聚芳醚腈与表面改性氮化硼混合;混合后通过添加或蒸除溶剂的方法调节混合液浓度得到聚芳醚腈/氮化硼流延液;将流延液过滤后在干净平整表面均匀流延成膜;挥发掉溶剂后获得专利所述聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜。所得聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜具有良好的导热、介电性能,复合薄膜制备工艺简单、可靠,适于工业化大规模生产。 |
申请公布号 |
CN106084261A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610455331.3 |
申请日期 |
2016.06.21 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
刘孝波;孔祥建;杨瑞琪 |
分类号 |
C08J5/18(2006.01)I;C08L71/10(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/38(2006.01)I |
主分类号 |
C08J5/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜,其特征在于薄膜中氮化硼含量为1~40wt%。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |