发明名称 一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜及其制备方法。聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜中氮化硼含量为1~40wt%,制备方法为在溶液中将氮化硼由表面改性剂改性,得到表面改性氮化硼;在溶液状态下,将聚芳醚腈与表面改性氮化硼混合;混合后通过添加或蒸除溶剂的方法调节混合液浓度得到聚芳醚腈/氮化硼流延液;将流延液过滤后在干净平整表面均匀流延成膜;挥发掉溶剂后获得专利所述聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜。所得聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜具有良好的导热、介电性能,复合薄膜制备工艺简单、可靠,适于工业化大规模生产。
申请公布号 CN106084261A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610455331.3 申请日期 2016.06.21
申请人 电子科技大学 发明人 刘孝波;孔祥建;杨瑞琪
分类号 C08J5/18(2006.01)I;C08L71/10(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/38(2006.01)I 主分类号 C08J5/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种聚芳醚腈/氮化硼复合薄膜,其特征在于薄膜中氮化硼含量为1~40wt%。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号