BUFFER LAYER ON GATE AND METHODS OF FORMING THE SAME

摘要

게이트 상의 버퍼층과 이를 형성하는 방법이 기술된다. 방법 실시예에 따르면, 게이트 구조체가 형성된다. 게이트 구조체는 기판 위의 게이트 유전체, 해당 게이트 유전체 위의 일함수 조정층 및 해당 일함수 조정층 위의 금속-함유 물질을 포함한다. 금속-함유 물질 상에 버퍼층이 형성된다. 버퍼층 상에 유전 물질이 형성된다. 구조체 실시예에 따르면, 게이트 구조체는 하이-k 게이트 유전체와 금속 게이트 전극을 포함한다. 금속 게이트 전극 위에 버퍼층이 형성된다. 버퍼층 위에 유전체 캡이 형성된다. 기판 위와 게이트 구조체 주위에 층간 유전체가 존재한다. 층간 유전체의 상부면은 유전체 캡의 상부면과 공면이다.