发明名称 一种IGBT用钼基板表面涂覆贵金属的电镀工艺
摘要 本发明公开了一种IGBT用钼基板表面涂覆贵金属的电镀工艺,用于IGBT用钼基板的贵金属电镀,所述电镀的贵金属为铑或钌,在电镀铑或电镀钌前依次设置有钼基板表面预处理工序、预镀镍工序、活化工序;所述活化工序具体是指采用稀硫酸溶液或稀盐酸溶液作为活化溶液对预镀镍后的钼基板进行1‑5min浸泡。本发明的贵金属镀层为镀铑层或镀钌层,镀铑层或镀钌层与钼基本结合良好,镀层表面无黑点、无油渍、无裂缝、无起皮。
申请公布号 CN106086968A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610614594.4 申请日期 2016.07.29
申请人 成都立威讯科技有限公司 发明人 杨素贤
分类号 C25D5/38(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I;C25D3/50(2006.01)I 主分类号 C25D5/38(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种IGBT用钼基板表面涂覆贵金属的电镀工艺,用于IGBT用钼基板的贵金属电镀,其特征在于:所述电镀的贵金属为铑或钌,在电镀铑或电镀钌前依次设置有钼基板表面预处理工序、预镀镍工序、活化工序;所述活化工序具体是指采用稀硫酸溶液或稀盐酸溶液作为活化溶液对预镀镍后的钼基板进行1‑5min浸泡。
地址 610000 四川省成都市高新区天府大道北段1700号9栋1单元6层612号