发明名称 一种石墨烯/金属或合金复合材料的直接制备方法
摘要 本发明涉及一种石墨烯/金属或合金复合材料的直接制备方法,以廉价易得的碳源气体为反应原料,以活性金属或合金箔为衬底,在还原性气体和保护气氛下,通过CVD法在金属或合金衬底表面催化生长石墨烯,一步制得石墨烯/金属(合金)复合材料,克服了常规石墨烯合成、分离、转移和与目标材料再复合工艺所带来的问题,实现了高品质石墨烯/金属(合金)复合材料的快速制备,满足了部分电子器件和复合材料对石墨烯的应用要求;本发明方法工艺流程简单、成本低、石墨烯层数可控,更为重要的是消除了分离转移过程对石墨烯品质的破坏,也降低了石墨烯与金属(合金)再复合的工艺风险。
申请公布号 CN106087038A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610377006.X 申请日期 2016.05.31
申请人 湖北航天化学技术研究所 发明人 顾健;张小平;庞爱民;付磊
分类号 C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I 主分类号 C30B25/02(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 范晓毅
主权项 一种石墨烯/金属或合金复合材料的直接制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)、除去金属或合金表面的氧化层,具体方法为:将金属或合金置于CVD反应炉石英管的恒温加热区,并抽真空至1Pa以下,向石英管内通入保护气体反复冲洗3~5次,确保石英管内无空气,然后打开CVD反应炉升温至设定温度,再向石英管内通入保护气体和还原性气体,保持石英管内的压强为1~1000Pa,除去金属或合金表面的氧化层;(2)、将CVD反应炉升温至反应温度,保持石英管内压强为1~1000Pa,同时通入保护气体和气体碳源进行反应;所述反应温度比金属或合金的熔点低80℃以上;(3)、关闭CVD反应炉,控制CVD反应炉的降温速率实现石墨烯的可控制生长,得到石墨烯/金属或合金复合材料。
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