一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法

摘要

本发明公开了一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于硅晶片的掺杂，还可以用于硅器件的掺杂，相比传统的杂质引入手段，既便捷又经济。

主权项

一种向硅材料中引入固态杂质的方法，在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅材料中。