一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该场效应晶体管的侧壁沟道层厚度和顶部沟道层厚度均在10nm以下，且在远离顶栅控制的深体区形成了鳍型隔离条，本发明有利于器件沟长的进一步缩小，可有效提高器件的短沟道效应控制能力，减小了静态功耗。此外本发明器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

主权项

一种低功耗鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底、器件隔离、有源区、鳍型隔离条、沟道层、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔和Metal 0；其中，在半导体衬底上形成有源区和器件隔离；在有源区的部分表面上形成源区和漏区以及连接二者的鳍型隔离条；在鳍型隔离条的两个侧壁和上表面覆盖沟道层，沟道层同时也与源区和漏区连接；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分沟道层的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、沟道层、栅电极层和除此之外的有源区和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Metal 0。