U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和制备方法

摘要

本发明公开了一种U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和制备方法。制备方法包括如下步骤：1)在N‑型(110)晶面硅单晶片的正、反两表面分别同时扩散入P+型和N+型杂质，得到P+N‑N+型硅扩散晶圆片；2)在P+N‑N+型硅扩散晶圆片的正、反面镀上镍层；3)在P+N‑N+型硅扩散晶圆片的正、反面涂上抗腐蚀胶，N+面上开启井字形腐蚀槽窗口；4)用硅各向异性择优腐蚀液对硅扩散晶圆片的N+面井字形腐蚀槽窗口进行化学腐蚀，获得U型蚀刻直角台面P+N‑N+型硅芯；5)对U型蚀刻直角台面P+N‑N+型硅芯进行去胶、锯切、焊接、清洗、台面钝化、压模成型，封装成硅二极管。本发明制造工艺简化，低成本，易于规模生产，产品性价比较高，产生显著经济效益。

主权项

一种U型蚀刻直角台面硅二极管硅芯，其特征在于由下到上分别为P+型杂质扩散层、原始硅单晶N‑型层和N+型杂质扩散层，硅芯侧面的台面呈直角，所述的直角台面为完整光滑的平面。