| 发明名称 | 一种半导体激光器的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。 | ||
| 申请公布号 | CN106099641A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610534175.X | 申请日期 | 2016.07.08 |
| 申请人 | 燕山大学 | 发明人 | 郭经纬;武晓琴;刘妍;徐朝鹏;王海燕 |
| 分类号 | H01S5/30(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 | 代理人 | 李合印 |
| 主权项 | 一种半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：a、在清洁的衬底表面制备锥状n型欧姆接触层；b、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；c、在n型限制层表面制备本征层；d、在本征层表面制备p型限制层；e、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。 | ||
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号 | ||