| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 在具有SJ构造的半导体装置中，能够减少输出电容损失，并且抑制复原噪声和浪涌电压的增加。在第2导电型列区域(3)以及位于第2导电型列区域(3)上的半导体层(4)的至少某一方设置第1导电型区域(6)，该第1导电型区域(6)在第1电极(13)和第2电极(12)之间的电压为0时具有非耗尽层区域。并且，当第1电极(13)和第2电极(12)之间的电压为规定电压时，形成在第1导电型列区域(2)和第2导电型列区域(3)及第2导电型层(4)的界面的耗尽层(14)、以及形成在第1导电型区域(6)和该第1导电型区域(6)所形成的区域的界面之间的耗尽层(14)相连。 | ||
| 申请公布号 | CN106104808A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201580015009.2 | 申请日期 | 2015.03.16 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 利田祐麻;赤木望 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 高迪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有半导体基板(5)，所述半导体基板(5)具备：半导体层(1)，由第1导电型或第2导电型构成；第1导电型列区域(2)，设置在所述半导体层上；第2导电型列区域(3)，设置在所述半导体层上，与所述第1导电型列区域一起构成超结构造；以及第2导电型层(4)，设置在所述第1导电型列区域及所述第2导电型列区域上，在与所述半导体层电连接的第1电极(13)和与所述第2导电型层电连接的第2电极(12)之间流动电流，所述半导体装置还具备第1导电型区域(6)，该第1导电型区域(6)设置在所述第2导电型列区域以及位于所述第2导电型列区域上的半导体层的至少某一方，所述第1导电型区域在所述第1电极和所述第2电极之间的电压为0时具有非耗尽层区域，当所述第1电极和所述第2电极之间的电压为规定电压时，形成在所述第1导电型列区域和所述第2导电型列区域及所述第2导电型层的界面的耗尽层(14)、以及形成在所述第1导电型区域和该第1导电型区域所形成的区域的界面之间的耗尽层(14)相连。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||